电压比较器和运算放大器的共模抑制比是衡量其抑制共模信号能力的关键参数，对精密测量和信号处理系统的性能至关重要。共模抑制比定义为差模电压增益与共模电压增益之比，通常以分贝表示。较高的共模抑制比意味着器件能更有效地抑制共模干扰，提取有用的差模信号。
检测项目的详细分类和技术原理
共模抑制比的检测项目可系统分为直流参数测试和交流参数测试两大类。
直流共模抑制比测试通常采用静态电压法。技术原理是在器件同相和反相输入端施加相同的直流电压，测量输出电压的变化量。通过公式 CMRR = 20log(Ad/Ac) 计算，其中Ad为差模增益，Ac为共模增益。测试时需确保电源电压稳定，偏置电流影响得到补偿。
交流共模抑制比测试则关注器件在不同频率下的共模抑制能力。技术原理是在输入端施加共模交流信号，扫描频率范围，测量输出端信号幅值变化。测试系统需包含低失真信号源、精密差分探头和高精度数据采集设备。交流共模抑制比随频率升高而下降的特性是评估器件高频性能的重要指标。
此外，还包括共模输入电压范围测试，验证器件在特定共模电压范围内保持高共模抑制比的能力；电源电压抑制比测试，评估电源波动对输出的影响，与共模抑制比密切相关的参数。
各行业的检测范围和应用场景
在工业自动化领域，共模抑制比检测集中于过程控制系统中的传感器信号调理电路。4-20mA电流环、热电偶放大器和桥式传感器前端都需要高共模抑制比的运算放大器，以抑制工业环境中的电磁干扰，检测标准通常要求达到90dB以上。
医疗电子行业对共模抑制比要求极为严格，特别是在生物电信号采集设备中。心电图机、脑电图仪和肌电图仪需要提取微伏级生理信号，同时抑制数百毫伏的共模干扰，共模抑制比检测标准普遍要求100dB至120dB。检测频率范围覆盖0.05Hz到1kHz的生理信号带宽。
汽车电子系统在电机控制、电池管理系统和传感器接口中都需要进行严格的共模抑制比检测。汽车电子委员会AEC-Q100标准要求运算放大器在-40℃至125℃温度范围内保持最低80dB的共模抑制比，确保在发动机舱恶劣电磁环境中可靠工作。
测试测量仪器行业自身就是高共模抑制比器件的重要应用领域。数字示波器的前端放大器、数据采集卡的信号调理电路都需要经过严格的共模抑制比检测，确保测量精度不受地环路和共模干扰影响。
国内外检测标准的对比分析
国际电工委员会IEC 60748系列标准针对半导体器件测试方法进行了规范，其中IEC 60748-4-3详细规定了模拟集成电路的共模抑制比测试条件。该标准要求测试温度范围为商业级(0℃至70℃)、工业级(-40℃至85℃)和军用级(-55℃至125℃)，测试电源电压为额定值的±10%。
美国电子器件工程联合JEDEC标准JESD99-001对线性集成电路的共模抑制比测试提出了明确要求，包括测试点选择、数据记录格式和统计分析方法。与IEC标准相比，JESD标准更注重量产测试的效率和可重复性。
国内标准GB/T 17940-2000《半导体器件集成电路第4部分：接口电路》采纳了IEC标准的基本框架，但在测试条件上更加注重国内工业应用的实际需求。在测试精度要求上，国内标准与国际标准基本保持一致，均要求测量不确定度小于1dB。
欧洲标准EN 62047-4在汽车电子应用领域增加了电磁兼容性相关的共模抑制比测试要求，包括在射频干扰下的共模抑制能力评估，这是其他标准中较少涉及的专项测试。
主要检测仪器的技术参数和用途
半导体参数分析仪是共模抑制比检测的核心设备，典型产品提供0.1fA分辨率电流测量和1μV分辨率电压测量能力。其内置的高速数据采集卡采样率可达1MS/s，集成多个精密电压源和电流源，输出精度达±0.02%。这类仪器能够自动完成直流和交流共模抑制比的全面测试，生成详细的频率响应曲线。
网络分析仪用于高频共模抑制比特性测试，频率范围覆盖10Hz至50MHz，动态范围超过100dB。通过S参数测试功能，可以精确测量运算放大器在不同频率下的共模增益和差模增益，为高频应用提供设计依据。
专用集成电路测试系统提供大规模生产环境下的共模抑制比测试解决方案，测试速度可达每秒1000个器件，同时保持测量重复性优于±0.5dB。这些系统集成温控单元，能够在-55℃至150℃温度范围内进行特性测试，满足汽车和军工行业的严格要求。
辅助测试设备包括低噪声线性电源，输出噪声低于10μV RMS；精密差分探头，共模抑制比自身超过80dB；电磁屏蔽测试夹具，提供60dB以上屏蔽效能，确保测试结果不受环境干扰影响。
随着物联网和5G通信技术的发展，对电压比较器和运算放大器共模抑制比的要求不断提高，检测技术正向更高频率、更宽温度范围和更智能化测试方向发展。未来检测标准将更加注重器件在实际应用环境中的表现，而不仅仅是理想实验室条件下的性能指标。